ALD原子層沉積真空鍍膜設(shè)備

一、設(shè)備概述:

　　T-ALD原子層沉積系統(tǒng)是專門為科研和工業(yè)小型化量產(chǎn)用戶而設(shè)計(jì)的多片沉積系統(tǒng)。該系統(tǒng)電氣符合CE標(biāo)準(zhǔn)，廣泛應(yīng)用于微電子、納米材料、光學(xué)薄膜、太陽能電池等領(lǐng)域。

　　二、產(chǎn)品優(yōu)勢:

　　軟件控制系統(tǒng)：系統(tǒng)集工藝配方、參數(shù)設(shè)置、權(quán)限設(shè)定、互鎖報(bào)警、狀態(tài)監(jiān)控等功能于一體。

　　三、技術(shù)指標(biāo):

　　基片尺寸 12英寸及以下尺寸

　　基片加熱溫度 室溫~300℃

　　前驅(qū)體源路數(shù) 標(biāo)準(zhǔn)3路前驅(qū)體管路，可選配

　　前驅(qū)體管路溫度 室溫～200℃，控制精度±0.1℃

　　源瓶加熱溫度 室溫～200℃，控制精度±0.1℃

　　ALD閥 Swagelok快速高溫ALD專用閥

　　本底真空 <5x10-3Torr，進(jìn)口防腐泵

　　載氣系統(tǒng) N2或者Ar

　　長模式 連續(xù)和停留沉積模式任意選擇

　　控制系統(tǒng) PLC+觸摸屏或者顯示器

　　電源 50-60Hz，220V/20A交流電源

　　沉積非均勻性 非均勻性<±1%

　　設(shè)備尺寸 600mm x 600mm x 1100mm

　　四、可沉積薄膜種類:

　　單 質(zhì)：Co, Cu, Ta, Ti, W, Ge, Pt, Ru, Ni, Fe…

　　氮化物：TiN, SiN, AlN, TaN, ZrN, HfN, WN …

　　氧化物：TiO2, HfO2, SiO2, ZnO, ZrO2, Al2O3, La2O3, SnO2…

　　其它化合物：GaAs, AlP, InP, GaP, InAs, LaHfxOy, SrTiO3,SrTaO6…

　　五、ALD應(yīng)用實(shí)例:

　　存儲容性電介質(zhì)，銅互連中高深寬比擴(kuò)散阻擋層，OLED無針孔鈍化層，MEMS的高均勻鍍膜，納米多孔結(jié)構(gòu)鍍膜，特種光纖摻雜，太陽能電池，平板顯示器，光學(xué)薄膜，其它各類特殊結(jié)構(gòu)納米薄膜。

ALD原子層沉積真空鍍膜設(shè)備