Innolume自2005年以來，一直是覆蓋780nm至1340nm光譜窗口的基于GaAs的激光二極管的主要制造商。波長覆蓋范圍與量子點技術(shù)和芯片設(shè)計相結(jié)合，可廣泛應(yīng)用于工業(yè)，醫(yī)療和通信應(yīng)用。我們公司擁有完整的垂直集成晶圓廠，可快速進行產(chǎn)品開發(fā)和修改標準項目以進行定制查詢。主要專注于芯片生產(chǎn)（當前吞吐量超過1000萬芯片/年），擁有高度可靠的單模光纖耦合技術(shù)。

產(chǎn)品范圍：

德國Innolume激光二極管、激光器、超發(fā)光二極管、半導體光放大器、增益模塊、激光二極管驅(qū)動器、光電隔離器。

主要型號：

SLD-1000-100-YY-25、SLD-1030-120-YY-15、SLD-1030-20-YY-150、SLD-1050-90-YY-35、SLD-1060-20-YY-150、SLD-1060-20-YY-300、SLD-1064-20-YY-350、SLD-1130-20-YY-30

相關(guān)產(chǎn)品介紹：

超發(fā)光二極管（SLD）

與激光二極管類似，超發(fā)光發(fā)光二極管基于電驅(qū)動的pn結(jié)，該pn結(jié)在正向偏置時會變?yōu)楣鈱W有源并在很寬的波長范圍內(nèi)產(chǎn)生放大的自發(fā)發(fā)射。SLD的峰值波長和強度取決于活性物質(zhì)的成分和注入電流的水平。SLD設(shè)計為對沿波導產(chǎn)生的自發(fā)發(fā)射具有高單程放大，但與激光二極管不同，SLD的反饋不足以實現(xiàn)激射作用。這是通過傾斜波導和抗反射涂層的小面的共同作用非常成功地實現(xiàn)的。

SLD是具有相當寬的光帶寬的光源。它們不同于光譜非常窄的激光器和光譜寬得多的白光源。該特性主要表現(xiàn)為光源的時間相干性較低（這是所發(fā)射的光波隨時間保持相位的能力有限）。但是，SLD可能表現(xiàn)出高度的空間相干性，這意味著它們可以有效地耦合到單模光纖中。一些應(yīng)用利用SLD源的低時間相干性來實現(xiàn)成像技術(shù)中的高空間分辨率。相干長度是經(jīng)常用于表征光源的時間相干的量。

一方面，SLD是經(jīng)過優(yōu)化以生成大量放大的自發(fā)發(fā)射（ASE）的半導體器件。為此，它們合并了高功率增益部分，其中以30 dB或更高的高增益因子放大了種子自發(fā)發(fā)射。另一方面，SLD缺乏光反饋，因此不會發(fā)生激光作用。通過使刻面相對于波導傾斜，可以抑制由于來自光學組件（例如連接器）的光向腔內(nèi)的反向反射而產(chǎn)生的光反饋，并且可以通過減反射涂層進一步抑制這種反射。避免了諧振器模式的形成以及因此在光譜中和/或在光譜變窄方面的明顯結(jié)構(gòu)。

規(guī)格：

-型號：SLD-1000-100-YY-25

-平均波長：1000納米

-帶寬半高：100納米

-輸出功率：25兆瓦

-max波長：955、1030納米

-頻譜傾角：1個D b

-工作電流：600mA

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德國Innolume激光二極管

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